据 Business Korea 报道，三星电子将在今年上半年开始大规模生产第三代 4 纳米芯片，第三代工艺在性能和功耗方面取得了很大进步。
报道称，三星电子 3 月 12 日发布了一份商业报告，报告提到将在今年上半年开始 2.3 代（2.3-generation process） 4 纳米工艺大规模生产。这是三星电子首次提到 4 纳米新版本的具体量产时间。与 4 纳米芯片的早期版本 SF4E 相比，第二代和第三代产品显示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圆面积。
报道称，自 2022 年开始，三星电子的 4 纳米工艺的良率进入正轨后，三星电子稳定地提高了其产能。业内人士估计，三星电子的 4 纳米工艺良率为 60%。虽然良品率没有达到台积电的水平，但专家表示，其良品率正在迅速提高，后续版本的大规模生产也在加速进行。
另有报道称，三星长期客户的谷歌很可能会使用三星第三代 4nm 工艺，生产设计 Tensor G3 芯片。
