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EUV也救不了命 内存快到头了:明年迎来全新3D DRAM

如今的内存市场上,不仅面临着价格下滑的压力,同时技术发展也遇到了瓶颈,在20nm节点之后发展速度已经慢下来了,三星在14nm节点就用上了EUV光刻工艺,寻求进一步微缩。

然而EUV光刻成本高昂不说,也没法彻底改变内存芯片的技术难题,三星已经做到了12nm工艺,再往后的内存工艺很难说,核心原因还是传统的2D DRAM内存技术快到极限了,就跟CPU逻辑工艺情况类似。

后面怎么办?作为内存一哥,三星也早就在准备新的技术了,那就是3D DRAM,类似闪存从2D到3D的转变一样,通过3D堆栈来进一步提高内存的存储密度。

在这个新技术上,垄断了全球75%内存产能的三星、SK海力士及美光三家公司都在积极研发,其中三星早在2021年就宣布组建全新的团队攻关新一代内存技术。

SK海力士也有类似的计划,而且他们计划在明年公布3D DRAM技术的进展,这个领域目前还没有哪家公司是绝对的领先,因此抢先公布可以赢得更多机会。

不过3D DRAM内存现在还在研发阶段,距离真正量产还要很久,至少三四年后才会有产品问世。

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