闪存芯片的进化方向非常明确，那就是通过更多层地堆叠来实现更快的读写速度，同时提高单位面积的存储容量，降低存储成本。
在ISSCC 2023期间，35名SK海力士工程师联名提交了论文，详细阐述了他们是如何攻克300+堆叠的难关。
通过运用TPGM（三重验证编程）、AUSP（自适应未选串预给电）、PDS（被编程假字符串）、APR以及PLRR（平面级读取重试）等五项技术，他们实现了超过300层的TLC颗粒堆叠。
这颗1Tb容量的TLC 3D闪存（3bit/Cell）达到了惊人的20Gb/mm2容量密度，写入速度更是狂飙到194GB/s创纪录。
按计划，SK海力士的300+层TLC将在2024年量产商用。
