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每瓦性能高出63% Intel“2nm”工艺纸面无敌:妥妥的王者

大家都知道Intel的4年搞定5代CPU工艺的战略了,这个过程中最重要的提升就是20A及18A两代工艺,将在2024年上半年、下半年准备就绪,相当于友商的2nm及1.8nm工艺,比台积电的进度要快2年。

Intel的目标是在2025年实现重返半导体工艺领先地位,能不能成功的关键就看20A及18A了。

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从技术上来说,20A及18A不仅是首款进入埃米节点的工艺,还会首发两大突破性技术,也就是RibbonFET和PowerVia,其中RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。

该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。

PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

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最终到底如何?以20A为例,它的每瓦性能比Intel 3高出15%,后者又比Intel 4高出18%,Intel 4又比当前的Intel 7工艺提升20%的每瓦性能,算下来20A比当前的13代酷睿能效高出63%以上。

如此夸张的能效下,有网友计算了下,这就意味着当前250W酷睿i9-13900K的性能当时候至需要90W即可,不需要高功耗就能实现强大性能释放,对笔记本来说尤其重要。

当然,这些还是20A工艺的纸面性能,具体如何还要等产品上市,首发20A工艺的应该是15代酷睿Arrow Lake了,明年上市。

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