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首款12层堆叠HBM3内存发布,单条最高容量24GB

首款12层堆叠HBM3内存发布,单条最高容量24GB

SK海力士20日宣布,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品,并正在接受客户公司的性能验证。

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据了解,SK海力士在此次此新产品采用了MR-MUF和TSV技术。SK海力士表示,通过MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性,又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠,实现了与16GB产品相同的高度。

TSV技术指的是硅通孔技术,在DRAM芯片打上数千个细微的孔,并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的先进封装技术。采用该技术的SK海力士HBM3 DRAM可每秒传输163部全高清(Full-HD)电影,最大速度可达819GB/s。

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