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238 层 4D NAND 闪存量产,国产手机或率先使用,传输速度每秒 2.4Gb

238 层 4D NAND 闪存量产,国产手机或率先使用,传输速度每秒 2.4Gb

6 月 8 日消息,SK 海力士 8 日宣布,已开始量产 238 层 4D NAND 闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。

SK 海力士总部位于韩国,这里指的“智能手机海外客户”非常有可能是中国国产手机厂商,这意味着国产手机将率先用上 238 层 4D NAND 闪存。

238 层 NAND 闪存是目前世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的 176 层提升了 34%,数据传输速度为每秒 2.4Gb(千兆比特),比上一代的速度快 50%。并且也改善了约 20% 的读写性能。

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SK 海力士称,238 层 NAND 闪存可将为采用该产品的智能手机和 PC 提供更高的性能。

SK 海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后,首先向移动端产品供应 238 层 NAND 闪存,随后将其适用范围扩大到基于 PCIe 5.0 的 PC 固态硬盘(SSD)和数据中心级高容量固态硬盘产品等。

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