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1nm以下关键技术 英特尔研发2D芯片工艺

快科技6月21日消息,由于半导体工艺越来越复杂,摩尔定律10多年来一直被认为放缓甚至失效,10nm以下制造难度加大,未来10年还要进入1nm以下节点,迫切需要更先进的技术。

在这个领域,英特尔率先在22nm节点进入FinFET晶体管时代,在20A、18A节点上则使用了RibbonFET和PowerVia两项新技术,再往后又需要改变晶体管结构了,英特尔的目标是全新的2D TMD材料。

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其中的2D指的是单层原子组成的结晶体,TMD则是过渡金属二硫化物的简称,具体包括二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)和二硒化钨(WSe2)等材料,这些新材料可实现小于1nm的沟槽厚度,同时具有更好的带隙和迁移率,也就是高性能、低功耗优势。

制备2D TMD材料并不容易,为此英特尔日前宣布跟欧洲CEA-Leti达成合作协议,开发300mm晶圆上的2D TMD层转移技术,后者是这方面的专家,可提供专业的键合及层转移技术支持,便于英特尔制造出最终的硅基芯片。

这个过程可能需要很多年,英特尔的目标是2030年之后继续扩展摩尔定律,也就是进一步提升晶体管密度,提升性能,降低成本功耗等。

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