三星代工公司在年度论坛中公布了最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。同时，公司也发布了 SF2 工艺的一些特性。 SF2 工艺是在今年早些时候推出的第三代 3 纳米级（SF3）工艺的基础上进一步优化的。SF2 工艺在同等频率和复杂度下，其功耗效率较SF3提高25%，性能提高12%，面积缩减5%。为了让 SF2 工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的IP组合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes等。 继SF2之后，三星将在 2026 年推出针对高性能计算（HPC）优化的 SF2P，以及于 2027 年推出针对汽车应用优化的 SF2A 工艺。在2027 年，公司还计划开始使用 SF1.4（1.4 纳米级）制造工艺进行量产。三星的 2 纳米级工艺预计将与台积电的 N2（2 纳米级）工艺同步，略晚于英特尔的 20A 工艺。 此外，三星代工预计将在2025年上半年推出其 5 纳米射频工艺技术，此技术预计可以将功耗效率提高40%，晶体管密度提升约 50%。同时，公司将从2025年开始生产氮化镓（GaN）功率半导体，应用于消费品、数据中心和汽车领域等。 关于公司扩大技术供应，三星代工将继续扩大其在韩国平泽和美国得州泰勒市的制造能力。其计划2023年下半年开始在平泽3号生产线量产芯片，泰勒市新厂将于今年年底完工，并于2024年下半年投入运行。目前，公司计划到2027年，其洁净室容量将比2021年增加7.3倍。
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