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建全自主半导体产业链几乎不可能!ASML找强援:加速推进新一代光刻机

比利时微电子研究中心 (IMEC) 、阿斯麦 (ASML) 共同宣布,双方将在开发先进高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻试验线的下一阶段加强合作。

按照ASML的说法,2025年开始,客户就能从数值孔径为0.33传统EUV多重图案化,切换到数值孔径为0.55 High-NA EUV单一图案化,降低制程成本,提高产量。

Fouquet表示,EUV光源输出功率一直稳步增加,ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W,最新型号3600D增加到350W,现在研究层面已做到600W,800W指日可待。

到2030年,使用High NA EUV的多重图案将与单一图案一起完成,以提高产量,并降低制程成本,需要更高数值孔径的EUV曝光(NA=0.75)。

DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技术形成图案的每个晶体管成本都不断变化,考量到新技术价格一定高于EUV每套3亿美元,High-NA EUV价格将非常可观,但仍取决于客户要求和开发成本。

在这之前,光刻机大厂ASML高管对外表示,半导体业只有通力合作,建立完全自主的产业链,即使并非不可能也会极其困难。

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