东京工业大学研发BBCube可堆叠内存 比HBM2E快4倍

东京工业大学的科研团队近日研发出一种名为BBCube的可堆叠内存，其传输速度是现有的HBM2E内存的4倍，而功耗仅为其五分之一。这一新型内存的最大特点在于，它摒弃了传统内存的逐层焊接晶体布局。 该团队在2023年6月举行的VLSI IEEE Symposium 2023大会上，不仅提出了这一新概念，还详细描述了生产这种存储器的技术流程。 高带宽存储器（HBM）是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，如图形处理器、网络交换及转发设备等。然而，现有的HBM内存生产方法限制了其功能，堆叠中的每一层（DRAM芯片）不能制造得比特定规格更薄，且层之间的球接触数量不能增加超过特定值，否则存在机械损坏和短路的风险。 为了解决这一问题，科研团队提出在DRAM封装过程中去除球接触，这样可以让芯片变得更薄，降低每一层的机械应力，缩短TSV的过孔线。 研究团队负责人Takayuki Ohba教授表示：“BBCube 3D有潜力实现每秒1.6TB的吞吐量，比DDR5快30倍，比HBM2E快四倍。”对于这一新型内存的详细信息，感兴趣的读者可以查阅相关论文进行深入了解。