三星显示器开始研发硅上LED技术，microLED芯片尺寸可以做到小于几微米

据报道，三星显示器已经开始研发用于增强现实（AR）设备的LEDoS（硅上LED）技术，其microLED芯片尺寸可以做到小于几微米。该消息由三星显示器研发中心技术战略团队执行董事金恭民在“Deep Tech Forum 2023”活动上公布，该活动于7月11日在韩国首尔驿三洞东北亚贸易大厦召开。 金恭民在演讲中指出，苹果推出的Apple Vision Pro头显显示OLEDoS（硅上OLED）技术，主要在硅衬底上沉积有机发光二极管（OLED）。OLEDoS可用于阻挡外部环境的虚拟现实（VR）设备，但由于亮度的限制，因此很难应用于增强现实（AR）设备。他表示，OLEDoS在亮度，光外形和产品寿命条件方面，无法满足AR设备的使用要求。他们的目标是在保证现有功能/特性的技术上，尽可能缩小LED，确保更高的分辨率和亮度，更好的特性和产品寿命。 金恭民也坦言，当前遇到的一个挑战是背板侧的晶圆技术。虽然使用现有的半导体工艺可以缩小microLED芯片尺寸，但在实现超高分辨率屏幕过程中，会出现和照明用LED完全不同的特性。当LED尺寸小于20um或10um时，特性会大幅下降，无法确保预期功能。如何防止这种情况并实现预期功能是一个挑战。