7月13日消息,特斯拉早期的Model S/X车型曾因eMMC闪存磨损过度出现黑屏门事件,最终特斯拉被迫为用户免费升级MCU及闪存模块以彻底解决问题。这一事件反映出,随着汽车智能化、娱乐化水平的提高,对于中控系统的存储单元读写速度的要求也在不断提升。 近日,三星电子宣布已经开始大规模量产车用UFS 3.1闪存解决方案。这款新一代闪存拥有业内最低的功耗,旨在改善车载信息娱乐系统的体验。其容量包括128GB、256GB和512GB,其中256GB的功耗降低33%,连续写入速度达到700MB/s,连续读取速度达到2000MB/s。 值得一提的是,这套UFS 3.1方案已经通过了车规半导体AEC-Q100 Grade2认证,可以满足零下40°C到 105°C范围下的工况,显示出其在汽车应用中的高稳定性和可靠性。
三星新闪存方案成功进入汽车领域,将改变汽车中控系统的命运
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