内存工艺进入20nm节点之后，厂商的命名已经发生了变化，都被称为10nm级内存，但有更细节的划分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。
在1α，1β，1γ这三代中，三星在1α上就开始用EUV光刻工艺，但是代价就是成本高。而美光前不久抢先宣布的量产1β内存芯片则没有使用EUV工艺，避免了昂贵的光刻机。
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不使用EUV光刻，美光在1β内存上使用的主要是第二代HKMG工艺、ArF浸液多重光刻等工艺，实现了35%的存储密度提升，同时省电15%。
1β之后还有1γ工艺，估计会是12nm级别，制造难度更大，但美光依然没有明确是否使用EUV光刻机。而如今的1β内存，工艺水平相当于13nm。
