首款12层堆叠HBM3内存发布，单条最高容量24GB

SK海力士20日宣布，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。

据了解，SK海力士在此次此新产品采用了MR-MUF和TSV技术。SK海力士表示，通过MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。

TSV技术指的是硅通孔技术，在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的先进封装技术。采用该技术的SK海力士HBM3 DRAM可每秒传输163部全高清（Full-HD）电影，最大速度可达819GB/s。