3809游略网 > 科技 >3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术

3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术

作者: hao333 发布:2023-05-05 13:39:54 5184阅读 6646评论

5 月 5 日消息，铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。

根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。

西部数据(wd) SN850 BLACK SN850(1TB)

[经销商]京东商城

[产品售价]

进入购买

此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向结晶（MILC）技术提高通道的结晶质量，再利用尖端的镍铸方法来消除硅材料中的杂质和缺陷。

本文来自网络，不代表本站立场，转载请注明出处：https:

3809游略网后续将为您提供丰富、全面的关于3D,NAND,堆叠可超,300,层，铠侠解读新技术内容，让您第一时间了解到关于3D,NAND,堆叠可超,300,层，铠侠解读新技术的热门信息。